espartan
Member
این تکنولوژی توسط توشیبا و فوجیتسو طراحی شده که برای حافظه بسیار سریع سرورها و پرینتر ها بکار رود . این تکنولوژی حرارت کمتر ایجاد می کند و سرعت دسترسی به سلولهای حافظه را افزایش می دهد .
Virtual Channel Memory (VCM):
توسط NEC طراحی شده VCM اجازه می دهد هر بلوک حافظه بطور مستقل با کنترلر حافظه با Cache خاص ارتباط بر قرار کند . بدین وسیله هر Task از بلوک حافظه و Cache خود بدون درگیری با Task دیگر عمل می کند . این عمل باعث بهبود عملکرد کامپیوتر میگردد .
Fast Page Mode (FPM):
نسبت به تکنولوژی های قبلی حافظه بسیار سریعتر بود .
Extended Data Out (EDO):
مثل FPM می باشد و سرعت دسترسی به ردیف های سلولی بسیار سریعتر است . EDO باعث شد CPU بتواند 15 درصد سریعتر به اطلاعات نسبت به FPM دسترسی داشته باشد .
Synchronous DRAM (SD RAM):
در این حافظه زمانبندی Ram با زمانبندی CPU به حالت Synchronize رسیده است : بهمین دلیل دیگر CPU منتظر اطلاعات نمی شود . درضمن SDRAM از تکنولوژی Interleave و Burst mode هم می توانند استفاده کنند . SDRAM ها در سرعتهای 133MHZ / 100MHZ / 66MHZ عرضه شده اند سرعتهای 200 و 266 مکاهرتز هم در راهند .
Double Data Rate Synchronous D Ram (DDR SD RAM):
نسل جدیدی از SDRAM هاست که در دو نقطه اوج و فرود سیکل زمانی ( Time Cycle ) می تواند اطلاعات را رد وبدل کند بهمین دلیل در سرعت ها 100 و 133 مگاهرتز عملکردی معادل 200 و 266 مگاهرتز خواهد داشت .
Double Data Rate 2 Synchronous D Ram (DDR2 SD RAM):
این نوعی DDR تا سرعت 800 مگا هرتز عملکرد با کاهش مصرف برق و کاهش حرارت قابل ملاحظه نسبت به DDR می باشد .
DDR3
(Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
DDR3 حافظه ی جدیدی از سری حافظه های SDRAM هست که نام کامل آن (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) هست قرار است جایگزین حافظه های DDR2 شود که به تازگی مصرف زیادی پیدا کرده است.
پهناي باند بالاتر و مصرف انرژي کمتر از جمله خصوصيات حافظه‌هاي Ddr3 مي‌باشند
حافظه‌هاي Ddr3 در ابتداي عرضه بيش از 50% گرانتر از Ddr2 خواهند بود و کمتر از 10% سهم فروش بازار را شامل خواهند شد. در سال 2008 تقريبا هم قيمت با Ddr2 خواهند گرديد و حدود 20% سهم بازار را شامل خواهند شد و در سال 2009 بيش از نيمي از فروش بازار را تصاحب خواهند کرد. حافظه‌هاي Ddr3 در سال 2007 به بازار عرضه خواهند شد.حافظه‌هاي Ddr3-800 و Ddr3-1066 در نيمه اول سال 2007 و حافظه‌هاي Ddr3-1333 و Ddr3-1600 در نيمه دوم سال 2007 عرضه خواهند گرديد.حافظه‌هاي Ddr3 فرکانس و پهناي باندي تا دو برابر Ddr2 دارا مي‌باشند
حافظه‌هاي Ddr3 مصرف انرژي کمتري (حدودا 30% کمتر) نسبت به Ddr2 دارا هستند که نتيجه کاهش ولتاژ از 1.8 به 1.5 ولت مي‌باشد قرار است در حافظه‌هاي Ddr3 سنسور حرارتي تعبيه گردد.
روشهای مختلفی برای چک کردن صحت اطلاعاتی ارسالی از طرف RAM وجود دارد (Error CHEKING):
Error correction
Parity CHECK
PARITY
در ازای هر 8 بیت اطلاعات یک Bit دیگر بعنوان Parity وجود دارد اگر به طور مثال مجموع باینری 1,0 هر 8 بیت یک باشد بدان odd parity می گویند . با ارسال هر 8 بیت بین CPU , RAM این بیت چک میشود اگر تعداد 1 و 0 ها یکی بود علامت صحت اطلاعات است اجازه ادامه عملیات داده می شود و گرنه مجددا" از ابتدا اطلاعات ارسال می شود تا مشکل بر طرف شود . Parity می تواند علامت خطری برای خطای اطلاعات باشد ولی نمی تواند خطا را بر طرف کند .
ECC = Error CORNECTION Code
از این نوع Ram ها که ECC دارند برای سیستم های سرور استفاده می کنند . برخلاف Parity در مورد Ram هایی که تکنولوژی ECC را دارند نه تنها Bit خراب گزارش می شود بلکه آن Bit تصحیح میگردد . اگر چندین Bit خراب باشد ECC Bit در خواست Parity CHK نموده و از طریق Parity خطا بازرسی و تصحیح می شود . عمده تفاوت Parity و ECC این است که ECC پس از کشف خطا آن Bit غلط را تصحیح می کند .
Access Time
میزان زمانی که طول می کشد که یک ماژول Ram به درخواست اطلاعات پاسخ دهد . واحد آْنNARO – second میباشد زمانهای معمول 60ns و 70ns است هر چقدر زمان آن کمتر باشد سرعت حافظه شما بیشتر است . Bus Width
هر 8 بیت یک بایت می باشد . پهنای باند خطوط اتصالی بین Ram , CPU امروزه 64 بیت است که معادل 8 بایت میگردد .
Bus Speed
اگر سرعت Memory Bus 100 مگاهرتز باشد یعنی 100 میلیون Clock Cycle در ثانیه است یعنی هر بایت که 8 بیت است در یک دوره Clock Cycle حمل می شود . در سرعت 100 مگاهرتز با سیستم 64 بیتی مقدار 800 مگابایت در ثانیه حمل و رد و بدل میگردد .
CAS Latency
تعداد Clock Cycle هایی که طول می کشد یک ستون از RAM در چیپ DRAM آدرس دهی شود . Latency میزان تاخیر می باشد یعنی " CL3 " میزان تاخیر در دسترسی به ستونهای RAM حافظه را 3 Clock Cycle می داند و CL2 میزان تاخیر را Clock Cycle -2 پس حافظه CL2 بهتر از CL3 میباشد .
SYNCLINK DRAM (SLD RAM):
این نوع Ram دیگر تولید نمی شود اما توسط کنسرسیومی از تولید کنندگان Dram بعنوان رقیب RAMBUS در سال 1990 ارائه شد .
Virtual Channel Memory (VCM):
توسط NEC طراحی شده VCM اجازه می دهد هر بلوک حافظه بطور مستقل با کنترلر حافظه با Cache خاص ارتباط بر قرار کند . بدین وسیله هر Task از بلوک حافظه و Cache خود بدون درگیری با Task دیگر عمل می کند . این عمل باعث بهبود عملکرد کامپیوتر میگردد .
Fast Page Mode (FPM):
نسبت به تکنولوژی های قبلی حافظه بسیار سریعتر بود .
Extended Data Out (EDO):
مثل FPM می باشد و سرعت دسترسی به ردیف های سلولی بسیار سریعتر است . EDO باعث شد CPU بتواند 15 درصد سریعتر به اطلاعات نسبت به FPM دسترسی داشته باشد .
Synchronous DRAM (SD RAM):
در این حافظه زمانبندی Ram با زمانبندی CPU به حالت Synchronize رسیده است : بهمین دلیل دیگر CPU منتظر اطلاعات نمی شود . درضمن SDRAM از تکنولوژی Interleave و Burst mode هم می توانند استفاده کنند . SDRAM ها در سرعتهای 133MHZ / 100MHZ / 66MHZ عرضه شده اند سرعتهای 200 و 266 مکاهرتز هم در راهند .
Double Data Rate Synchronous D Ram (DDR SD RAM):
نسل جدیدی از SDRAM هاست که در دو نقطه اوج و فرود سیکل زمانی ( Time Cycle ) می تواند اطلاعات را رد وبدل کند بهمین دلیل در سرعت ها 100 و 133 مگاهرتز عملکردی معادل 200 و 266 مگاهرتز خواهد داشت .
Double Data Rate 2 Synchronous D Ram (DDR2 SD RAM):
این نوعی DDR تا سرعت 800 مگا هرتز عملکرد با کاهش مصرف برق و کاهش حرارت قابل ملاحظه نسبت به DDR می باشد .
DDR3
(Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
DDR3 حافظه ی جدیدی از سری حافظه های SDRAM هست که نام کامل آن (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) هست قرار است جایگزین حافظه های DDR2 شود که به تازگی مصرف زیادی پیدا کرده است.
پهناي باند بالاتر و مصرف انرژي کمتر از جمله خصوصيات حافظه‌هاي Ddr3 مي‌باشند
حافظه‌هاي Ddr3 در ابتداي عرضه بيش از 50% گرانتر از Ddr2 خواهند بود و کمتر از 10% سهم فروش بازار را شامل خواهند شد. در سال 2008 تقريبا هم قيمت با Ddr2 خواهند گرديد و حدود 20% سهم بازار را شامل خواهند شد و در سال 2009 بيش از نيمي از فروش بازار را تصاحب خواهند کرد. حافظه‌هاي Ddr3 در سال 2007 به بازار عرضه خواهند شد.حافظه‌هاي Ddr3-800 و Ddr3-1066 در نيمه اول سال 2007 و حافظه‌هاي Ddr3-1333 و Ddr3-1600 در نيمه دوم سال 2007 عرضه خواهند گرديد.حافظه‌هاي Ddr3 فرکانس و پهناي باندي تا دو برابر Ddr2 دارا مي‌باشند
حافظه‌هاي Ddr3 مصرف انرژي کمتري (حدودا 30% کمتر) نسبت به Ddr2 دارا هستند که نتيجه کاهش ولتاژ از 1.8 به 1.5 ولت مي‌باشد قرار است در حافظه‌هاي Ddr3 سنسور حرارتي تعبيه گردد.
روشهای مختلفی برای چک کردن صحت اطلاعاتی ارسالی از طرف RAM وجود دارد (Error CHEKING):
Error correction
Parity CHECK
PARITY
در ازای هر 8 بیت اطلاعات یک Bit دیگر بعنوان Parity وجود دارد اگر به طور مثال مجموع باینری 1,0 هر 8 بیت یک باشد بدان odd parity می گویند . با ارسال هر 8 بیت بین CPU , RAM این بیت چک میشود اگر تعداد 1 و 0 ها یکی بود علامت صحت اطلاعات است اجازه ادامه عملیات داده می شود و گرنه مجددا" از ابتدا اطلاعات ارسال می شود تا مشکل بر طرف شود . Parity می تواند علامت خطری برای خطای اطلاعات باشد ولی نمی تواند خطا را بر طرف کند .
ECC = Error CORNECTION Code
از این نوع Ram ها که ECC دارند برای سیستم های سرور استفاده می کنند . برخلاف Parity در مورد Ram هایی که تکنولوژی ECC را دارند نه تنها Bit خراب گزارش می شود بلکه آن Bit تصحیح میگردد . اگر چندین Bit خراب باشد ECC Bit در خواست Parity CHK نموده و از طریق Parity خطا بازرسی و تصحیح می شود . عمده تفاوت Parity و ECC این است که ECC پس از کشف خطا آن Bit غلط را تصحیح می کند .
Access Time
میزان زمانی که طول می کشد که یک ماژول Ram به درخواست اطلاعات پاسخ دهد . واحد آْنNARO – second میباشد زمانهای معمول 60ns و 70ns است هر چقدر زمان آن کمتر باشد سرعت حافظه شما بیشتر است . Bus Width
هر 8 بیت یک بایت می باشد . پهنای باند خطوط اتصالی بین Ram , CPU امروزه 64 بیت است که معادل 8 بایت میگردد .
Bus Speed
اگر سرعت Memory Bus 100 مگاهرتز باشد یعنی 100 میلیون Clock Cycle در ثانیه است یعنی هر بایت که 8 بیت است در یک دوره Clock Cycle حمل می شود . در سرعت 100 مگاهرتز با سیستم 64 بیتی مقدار 800 مگابایت در ثانیه حمل و رد و بدل میگردد .
CAS Latency
تعداد Clock Cycle هایی که طول می کشد یک ستون از RAM در چیپ DRAM آدرس دهی شود . Latency میزان تاخیر می باشد یعنی " CL3 " میزان تاخیر در دسترسی به ستونهای RAM حافظه را 3 Clock Cycle می داند و CL2 میزان تاخیر را Clock Cycle -2 پس حافظه CL2 بهتر از CL3 میباشد .
