توليد نوع جديدي از تراشه‌هاي حافظه با سرعت بسيار بالا به نام "پي‌رم"

client

Member
شركت "سامسونگ" در كره جنوبي موفق به توليد نوع جديدي از تراشه‌هاي رايانه‌اي شده كه همانند حافظه‌هاي "فلش" با قطع برق اطلاعات آن پاك نمي‌شود و در ضمن سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در آن۳۰‬برابر سريعتر از حافظه‌هاي "فلش" است.

به گزارش خبرگزاري آسوشيتدپرس، "سامسونگ" هم‌اكنون يك نمونه اوليه ‪۵۱۲‬ مگابايتي از حافظه‌هاي جديد با نام "پي‌رم"(‪ (PRAM‬را توليد كرده و اعلام كرده‌است توليد انبوه اين حافظه‌هاي جديد را در سال ۲۰۰۸‬آغاز خواهد كرد.

در حال حاضر دو نوع تراشه "فلش" با نامهاي "ان‌اوآر"(‪ (NOR‬و "ان‌اي‌ان‌دي"(‪ (NAND‬به طور گسترده براي ذخيره اطلاعات در تجهيزات الكترونيكي و رايانه‌اي از قبيل دوربينهاي ديجيتال، گوشي‌هاي موبايل و دستگاه‌هاي جيبي پخش موسيقي ديجيتال(ام‌پي‌تري پليرها) مورد استفاده قرار مي‌گيرند حافظه‌هاي فلش از نوع "ان‌اوآر" براي ذخيره فايلهاي كوچك مناسبند اما سرعت آنها پايين‌تر و قيمتشان نيز بيشتر است و حافظه‌هاي فلش از نوع "ان‌اي‌ان‌دي" براي ذخيره فايلهاي بزرگ مناسب هستند و قيمت آنها ارزانتر است.

شركت "سامسونگ" خود يكي از بزرگترين توليدكنندگان حافظه‌هاي "فلش" در جهان محسوب مي‌شود كه به تازگي نيز اعلام كرده موفق به استفاده از فن‌آوري ‪ ۴۰‬نانومتري به جاي فن‌آوري مرسوم ‪ ۷۰‬نانومتري، براي توليد نخستين حافظه‌هاي فلش ‪ ۳۲‬گيگابايتي شده‌است.(منظور از فن‌آوري ۴۰‬نانومتري اين است كه مدارهاي مورد استفاده در اين تراشه‌ها ‪ ۴۰‬نانومتر ضخامت دارند. هر نانومتر خود يك ميليارديوم متر است.)

تراشه‌هاي حافظه جديد "پي‌رم" كه از سال ‪ ۲۰۰۸‬به بازار عرضه خواهند شد بسيار سريعتر از تراشه‌هاي حافظه "فلش" خواهند بود. "سامسونگ" هنوز اعلام نكرده‌است تراشه‌هاي "پي‌رم" در چه نوع تجهيزات الكترونيكي كاربرد خواهند داشت.
 

جدیدترین ارسال ها

بالا