fatemeh160
Banned
کمپانی او سی زی ( OCZ که به اشتباه او سی زد هم تلفظ می شود ) در نمایشگاه CES امسال درایوهای SSD جدید سری Trion 100 خود را با پورت ساتا ۳ معرفی کرد.حالا OCZ نسل جدید این حافظه ها را که Trion 150 نام دارد را با حافظه‌های فلش TLC که لیتوگرافی ۱۵ نانومتری دارند معرفی کرده است.
در سری Trion 100 اوسی‌زی از حافظه‌های فلش TLC توشیبا و دقیق‌تر بگوییم، A19 با لیتوگرافی ۱۹ نانومتری استفاده شده بود. در سری جدید تراین ۱۵۰، اوسی‌زی سراغ حافظه‌هایی با لیتوگرافی ۱۵ نانومتری رفته است و به نظر می‌رسد که اکنون سندیسک و توشیبا در تولید انبوه حافظه‌های ۳D NAND با لیتوگرافی برتر، به نقاط خوبی رسیده‌اند.
مشخصات کلی سری تراین ۱۵۰ اوسی‌زی تقریباً تفاوتی با سری تراین ۱۰۰ ندارد اما در نشست مطبوعاتی معرفی سری جدید، به عملکرد پایدارتر اشاره شده است. اوسی‌زی برای بهبود عملکرد و پشتیبانی از حافظه‌های جدید، فرم‌ویر را اندکی تغییر داده است.
همان‌طور که مشاهده می‌کنید قیمت هر ترابایت SSD تا ۰.۳ دلار پایین آمده است. تراین ۱۰۰ از نظر عملکرد چندان جالب نبود ولیکن تراین ۱۵۰در بررسی اولیه‌ای که تامزهاردور انجام داده، بهینه‌تر است.
معرفی Direct-to-die برای تسریع نوشتن تصادفی داده
اوسی‌زی از تکنولوژی خاصی به اسم Direct-to-die در سری جدید استفاده کرده که در حقیقت اگر نوع نوشتن داده، ترتیبی باشد، داده بدون قرار گرفتن در بافر SLC مستقیماً روی حافظه ذخیره می‌شود. بافر کوچک SLC معمولاً سرعت عمل را کاهش می‌دهد و اگر بتوان آن را کنار گذاشت، وضعیت بهتر می‌شود. عملکرد حافظه‌های TLC در نوشتن داده چندان خوب نیست و معمولاً سازندگان اطلاعاتی در این مورد نمی‌دهند. اما ببینیم اوسی‌زی تراین ۱۵۰ در بنچ‌مارک HD Tune 5.6 چه عملکردی دارد:
همان‌طور که مشاهده می‌کنید سرعت بیش از ۱۰۰ مگابایت بر ثانیه‌ای است که در درایوهای ارزان‌قیمت مجهز به فلش TLC تجربه می‌کنیم و در واقع سرعت ۲.۴ برابر است!
منبع : anandtech
در سری Trion 100 اوسی‌زی از حافظه‌های فلش TLC توشیبا و دقیق‌تر بگوییم، A19 با لیتوگرافی ۱۹ نانومتری استفاده شده بود. در سری جدید تراین ۱۵۰، اوسی‌زی سراغ حافظه‌هایی با لیتوگرافی ۱۵ نانومتری رفته است و به نظر می‌رسد که اکنون سندیسک و توشیبا در تولید انبوه حافظه‌های ۳D NAND با لیتوگرافی برتر، به نقاط خوبی رسیده‌اند.
مشخصات کلی سری تراین ۱۵۰ اوسی‌زی تقریباً تفاوتی با سری تراین ۱۰۰ ندارد اما در نشست مطبوعاتی معرفی سری جدید، به عملکرد پایدارتر اشاره شده است. اوسی‌زی برای بهبود عملکرد و پشتیبانی از حافظه‌های جدید، فرم‌ویر را اندکی تغییر داده است.
| [h=3]مشخصات OCZ Trion 150[/h] | ||||
|---|---|---|---|---|
| ظرفیت | ۱۲۰ گیگابایت | ۲۴۰ گیگابایت | ۴۸۰ گیگابایت | ۹۶۰ گیگابایت |
| کنترلر | Toshiba TC58 | |||
| حافظه‌ی فلش | Toshiba 15nm TLC | |||
| سرعت خواندن ترتیبی (مگابایت بر ثانیه) | ۵۵۰ | ۵۵۰ | ۵۵۰ | ۵۵۰ |
| سرعت نوشتن ترتیبی (مگابایت بر ثانیه) | ۴۵۰ | ۵۲۰ | ۵۳۰ | ۵۳۰ |
| IOPS خواندن ۴ کیلوبایتی | ۷۹K IOPS | ۹۰K IOPS | ۹۰K IOPS | ۹۰K IOPS |
| IOPS نوشتن ۴ کیلوبایتی | ۲۵K IOPS | ۴۳K IOPS | ۵۴K IOPS | ۶۴K IOPS |
| عمر مفید (مجموع نوشتن داده) | ۳۰ ترابایت | ۶۰ ترابایت | ۱۲۰ ترابایت | ۲۴۰ ترابایت |
| توان مصرفی حالت DevSleep | ۶ میلی‌وات | |||
| توان مصرفی، حالت بی‌کار | ۸۳۰ میلی‌وات | |||
| حداکثر توان مصرفی | ۴.۸ وات | |||
| ضمانت | ۳ ساله | |||
| قیمت (دلار) | ۴۶ | ۷۰ | ۱۴۰ |
معرفی Direct-to-die برای تسریع نوشتن تصادفی داده
اوسی‌زی از تکنولوژی خاصی به اسم Direct-to-die در سری جدید استفاده کرده که در حقیقت اگر نوع نوشتن داده، ترتیبی باشد، داده بدون قرار گرفتن در بافر SLC مستقیماً روی حافظه ذخیره می‌شود. بافر کوچک SLC معمولاً سرعت عمل را کاهش می‌دهد و اگر بتوان آن را کنار گذاشت، وضعیت بهتر می‌شود. عملکرد حافظه‌های TLC در نوشتن داده چندان خوب نیست و معمولاً سازندگان اطلاعاتی در این مورد نمی‌دهند. اما ببینیم اوسی‌زی تراین ۱۵۰ در بنچ‌مارک HD Tune 5.6 چه عملکردی دارد:
همان‌طور که مشاهده می‌کنید سرعت بیش از ۱۰۰ مگابایت بر ثانیه‌ای است که در درایوهای ارزان‌قیمت مجهز به فلش TLC تجربه می‌کنیم و در واقع سرعت ۲.۴ برابر است!
منبع : anandtech
