اينم شرح
PnP قطعه نازك ژزمانيوم نوع n ميان دو قطعه نازك ژزمانيوم نوع p است
ژزمانيوم p بار منفي دارد
ژزمانيوم n بار مثبت دارد
حال نوع NpN برعكس سيستم بالاست بعني
قطعه نازك ژزمانيوم نوع p ميان دو قطعه نازك ژزمانيوم نوع n است
كافي نيست بارم بنويسم
البته با اجازه از استادمون علي اكبر جان عزيز
آقا سامان من زياد در بحر الكترونيك نيستم فقط يه پرسش كوچولوي ديگه بعدشم والسلام ...
منظور از قطعه نازك ژرمانيوم همان ديودهاي ژرمانيوم است يا اينكه تشابه اسمي يا كاري دارند ؟(نسبت به هم )
در ثاني كاربرد ايندو به اختصار در يك برد رو هم توضيح بدين !
كاربردشان
درمورد PnP
از مطالعه مشخصه اول يعني PnP رفتار خروحي ترانزيستور يعني مدار ان و از مطالعه مشخصه دوم يعني NpN رفتار ورودي ترانزيستور يعني مدار ان معلوم ميشود به عكسهاي بالا رحوع شود
ببخشيد هي اذيت مكنما
آقا سامان من گفتم شرح مختصر ولي نگفتم ديگه اينهمه مختصر باشه آخه به قول بعضيها 2زاري من يه خورده مچالس !
اگه يه خورده بيشتر بگين و در ضمن كاربرد ايندو رو در يك برد هم بگين بسپار ممنون ميشم
كاربردشان
درمورد PnP
از مطالعه مشخصه اول يعني PnP رفتار خروحي ترانزيستور يعني مدار ان و از مطالعه مشخصه دوم يعني NpN رفتار ورودي ترانزيستور يعني مدار ان معلوم ميشود به عكسهاي بالا رحوع شود
اوكي
ژزمانيوم نوع n همون اتم ارسنگ است ابعا هندسي اتم ارسنگ همانند انم ژرمانبوم است بطوري كه اتم ارسينگ بزاحتي ميتواند در شبكه بلوري ژزمانيوم حاي بگيرد براي اينكه اتم ارسنگ 5 ظرفيتي است و داراي 5 الكترون وفتي وارد ژزمانيوم نوعp ميشود خفره ايحاد ميكند كه با اصلاح ميگن الكترون آزاد شده است
ژزمانيوم نوع p همون اتم انديم است كه ابعا هندسي آن مانند اتم ارسنگ شبيه انم ژرمانبوم است اين اتم سه ظرفيتي است و در اطرافش 3 الكترون ظرفيت در لايه 4ام در گردش است
اين الكترونها در حفرهايي كه در خضور اتمهاي انديوم بوحود آمده اند مي افتد و الكترون آزاد ميشود و حقره اي تازه ايحاد مي كند و اين پديده مدام ادامه دارد
با سلام
در ادامه فرمايشات دوست بسيار عزيزم آقا سامان ، لازمه ابتدا مقدمه اي از ديودها رو خدمتتون عرض كنم و بعد ميرم سراغ ترانزيستور :
ديودها و ترانزيستورهاي دو قطبي ، از دو نوع نيمه هادي به نامهاي « P و N » ساخته شده ند .خود اين نيمه هاديها هم با قرار دادن مقدار معيني از ناخالصيها از قبيل « آرسنيك ، گاليم ، اينديم و ... » در داخل كريستالهاي خالصي مانند سيليكون يا ژرمانيوم ايجاد شده اند .
اگر هنگام ساخت كريستال سيليكون ، مقداري از اتمهاي آرسنيك به داخل سيليكون مذاب وارد شوند ، در آنصورت يك كريستال نوع N تشكيل خواهد شد .
اگر هنگام ساخت كريستال سيليكون ، مقداري از اتمهاي اينديم به داخل سيليكون مذاب وارد شوند ، در آنصورت يك كريستال نوع P تشكيل خواهد شد .
يك كريستال نوع N داراي حاملهاي بار منفي ( الكترونها ) است كه مي توانند آزادانه در داخل كريستال حركت كنند ؛ و يك كريستال نوع P داراي حاملهاي بار مثبت( حفره ها ) است كه مي توانند آزادانه در داخل كريستال حركت كنند .
توضيح مختصري از ديود معمولي : ديود نيمه هادي قطعه اي است دوپايه كه از قرار گرفتن دو نوع نيمه هادي N و P در كنار هم ساخته مي شود . به پايه قسمت N ، كاتد و به پايه قسمت P آند گويند .
توجه داشته باشيد كه ديود عنصري است يكطرفه ؛ و جريان الكتريكي را فقط در يك جهت هدايت مي كند و آنهم موقعي است كه آند نسبت به كاتد ، مثبت تر باشد ( بعبارتي در باياس مستقيم باشد ) . اگر ولتاژ آند نسبت به كاتد ، منفي تر باشد ( بعبارتي ديود در باياس معكوس باشد ) ، ديود هدايت نمي كند . پس بايد موقع استفاده از ديود ( و نيز ترانزيستور ) به باياس صحيح آن توجه داشت .
بخاطر همين خاصيت يكطرفه بودن ، معمولا از ديود در مدارات يكسوساز ولتاژ استفاده مي شود .
و اما درباره ترانزيستور دوقطبي ( BJT ) : ترانزيستور دوقطبي قطعه اي است سه پايه ( پايه بيس، اميتر و كلكتور ) كه به يكي از دو صورت NPN يا PNP ساخته مي شود . اين دو نوع ترانزيستور از نظر عملكرد ، بسيار شبيه همند و تنها تفاوت آنها در باياسينگ آنهاست .
در ترانزيستور NPN يك نيمه هادي نوع N ( پايه كلكتور ) و يك نيمه هادي نوع P ( پايه بيس ) و
دوباره يك نيمه هادي نوع N ( پايه اميتر ) به ترتيب در كنار هم قرار گرفته اند .
براي آنكه از ترانزيستور در مدارمان استفاده كنيم ابتدا بايد آنرا بطور صحيح باياس كنيم ( مثلا در نوع NPN بايد كلكتور را توسط يك مقاومت مناسب به قطب مثبت منبع تغذيه دي سي ، و پايه اميتر را به قطب منفي آن منبع وصل كنيم ). توجه كنيد كه اين كارها براي راه اندازي ترانزيستور
لازم است ؛ و ما حالا مي توانيم انواع آرايش هاي مختلف مدارات ترانزيستوري را پياده سازي كنيم كه اين مبحث فرصتي ديگر مي خواهد . نكته مهم : ايده اساسي در مدارات ترانزيستوري ، همان عبور جريان در آن است كه مقدار اين جريان ( كه از اميتر به كلكتور است ) بوسيله جريان بيس ( ورودي ) كنترل مي شود .
جريان بيس در مقايسه با جريان كلكتور ، بسيار كوچك است و تغيير اندكي در جريان بيس باعث تغييرات زيادي در جريان كلكتور مي شود .( در واقع هر ترانزيستور ، مشخصه اي بنام « بتا » دارد كه جريان كلكتور ( بعنوان خروجي ) از ضرب جريان بيس در مقدار بتاي آن ترانزيستور بدست مي آيد . )
موفق باشيد ( علي اكبر )
با سلام
در ادامه فرمايشات دوست بسيار عزيزم آقا سامان ، لازمه ابتدا مقدمه اي از ديودها رو خدمتتون عرض كنم و بعد ميرم سراغ ترانزيستور :
ديودها و ترانزيستورهاي دو قطبي ، از دو نوع نيمه هادي به نامهاي « P و N » ساخته شده ند .خود اين نيمه هاديها هم با قرار دادن مقدار معيني از ناخالصيها از قبيل « آرسنيك ، گاليم ، اينديم و ...
سلام علي اكبر حان زنده باشيد واقع بايد از شما سپاسگذار بود من كه بپاي شما نميرسم
ممنونم از شما عزيزلن ايراني
دوست عزيز آقاي Vmj من درمقابل دوستان خويي مانند آقاي علي اكبر حان هيچ هستم رنده باشيد
:!: :!: 
